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单电源有高噪音HBT和双电源PHEMT及GaAs HFET(异质结构FET)

发布时间:2021/10/13 20:59:31 访问次数:116

每种IC有电源,地和重置输出引脚.当出现瞬态,电压起伏,短路状态或其它电源问题,输出重置信号。

BD48XXG和BD49XXG CMOS 重置IC能以CMOS或N-MOS漏极开路输出和从-0.3V到10V间的电源供电。它的功耗额定值为100mW,工作温度从-40 到85oC。

阻值范围包括有50M, 75M, 100M, 150M和200 M欧姆,额定电压为5KV(50M和75M),10KV(100M和150M)和15KV(150M和200M),误差为0.1%。电压系数也非常低。

直经为0.350英吋,高度有1.25,2.0和3.0英吋三种规格。

制造商:Murata产品种类:多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMTRoHS: 封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel电容:4.7 uF电压额定值 DC:4 VDC电介质:X7S容差:20 %外壳代码 - in:0805外壳代码 - mm:2012高度:0.5 mm产品:General Type MLCCs端接类型:SMD/SMT系列:长度:2 mm封装 / 箱体:0805 (2012 metric)类型:Eight Termination Low ESL Chip Monolithic Ceramic Capacitor宽度:1.25 mm商标:Murata Electronics电容-nF:4700 nF产品类型:Ceramic Capacitors4000子类别:Capacitors单位重量:6.400 mg

单电源工作的E-pHEMT器件的唯一供应商。Agilent公司的新型E-pHENT器件具有单电源工作,高电源效率和超常的RF性能,是替代单电源有高噪音的HBT和双电源PHEMT以及GaAs HFET(异质结构FET)器件的理想选择。

ATF-511P8 E-pHEMT FET封装在2.0x2.0x0.75mm紧凑的8引脚工业标准的无引线塑料芯片承载JEDEC DRP-N LPCC封装里。

FET有很高的可靠性,装备上温度为85度C的预测的单点MTTF(平均失效时间)超过300年。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

每种IC有电源,地和重置输出引脚.当出现瞬态,电压起伏,短路状态或其它电源问题,输出重置信号。

BD48XXG和BD49XXG CMOS 重置IC能以CMOS或N-MOS漏极开路输出和从-0.3V到10V间的电源供电。它的功耗额定值为100mW,工作温度从-40 到85oC。

阻值范围包括有50M, 75M, 100M, 150M和200 M欧姆,额定电压为5KV(50M和75M),10KV(100M和150M)和15KV(150M和200M),误差为0.1%。电压系数也非常低。

直经为0.350英吋,高度有1.25,2.0和3.0英吋三种规格。

制造商:Murata产品种类:多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMTRoHS: 封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel电容:4.7 uF电压额定值 DC:4 VDC电介质:X7S容差:20 %外壳代码 - in:0805外壳代码 - mm:2012高度:0.5 mm产品:General Type MLCCs端接类型:SMD/SMT系列:长度:2 mm封装 / 箱体:0805 (2012 metric)类型:Eight Termination Low ESL Chip Monolithic Ceramic Capacitor宽度:1.25 mm商标:Murata Electronics电容-nF:4700 nF产品类型:Ceramic Capacitors4000子类别:Capacitors单位重量:6.400 mg

单电源工作的E-pHEMT器件的唯一供应商。Agilent公司的新型E-pHENT器件具有单电源工作,高电源效率和超常的RF性能,是替代单电源有高噪音的HBT和双电源PHEMT以及GaAs HFET(异质结构FET)器件的理想选择。

ATF-511P8 E-pHEMT FET封装在2.0x2.0x0.75mm紧凑的8引脚工业标准的无引线塑料芯片承载JEDEC DRP-N LPCC封装里。

FET有很高的可靠性,装备上温度为85度C的预测的单点MTTF(平均失效时间)超过300年。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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