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全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列

发布时间:2021/10/12 10:32:48 访问次数:499

ntbl070n65s3:

功率 mosfet,n 沟道,superfet® iii,easy drive,650 v,44 a,70 mω,toll

特性:

700 v @ tj = 150 oc

低温运行时系统可靠性更高

无铅超薄smd封装

高功率密度

开尔文源配置

低栅极噪声和开关损耗

湿气敏感度 1 级保证

在潮湿环境条件下的高可靠性

超低栅极电荷(典型值 qg = 82 nc)

更低的开关损耗

低有效输出电容(typ. coss(eff.) = 724 pf)

更低的开关损耗

优化电容

较低的峰值 vds 和较低的 vgs 振荡

类型。 rds(on) = 57 mω

100% 雪崩测试

符合 rohs

应用:

电信

云系统

工业的

电信电源

服务器电源

太阳能 / ups

产品概览

ntbl070n65s3:

superfet iii mosfet 

是安森美半导体全新的高压超结 (sj) mosfet 系列,

利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻

和更低的栅极电荷性能。



这种先进的技术专为最大限度地减少传导损耗、

提供卓越的开关性能

和承受极端的 dv/dt 率而量身定制。

superfet iii mosfet easy drive 系列

有助于管理 emi 问题并简化设计实施。

素材:onsemi.版权归属原作者。如涉版权请联系删除。图片供参考


ntbl070n65s3:

功率 mosfet,n 沟道,superfet® iii,easy drive,650 v,44 a,70 mω,toll

特性:

700 v @ tj = 150 oc

低温运行时系统可靠性更高

无铅超薄smd封装

高功率密度

开尔文源配置

低栅极噪声和开关损耗

湿气敏感度 1 级保证

在潮湿环境条件下的高可靠性

超低栅极电荷(典型值 qg = 82 nc)

更低的开关损耗

低有效输出电容(typ. coss(eff.) = 724 pf)

更低的开关损耗

优化电容

较低的峰值 vds 和较低的 vgs 振荡

类型。 rds(on) = 57 mω

100% 雪崩测试

符合 rohs

应用:

电信

云系统

工业的

电信电源

服务器电源

太阳能 / ups

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superfet iii mosfet 

是安森美半导体全新的高压超结 (sj) mosfet 系列,

利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻

和更低的栅极电荷性能。



这种先进的技术专为最大限度地减少传导损耗、

提供卓越的开关性能

和承受极端的 dv/dt 率而量身定制。

superfet iii mosfet easy drive 系列

有助于管理 emi 问题并简化设计实施。

素材:onsemi.版权归属原作者。如涉版权请联系删除。图片供参考


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