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IRG4PF50WPBF

IRG4PF50WPBF产品图片
  • 发布时间:2021/10/13 16:04:49
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:深圳市腾桩电子有限公司
  • 联 系 人:陈
  • IRG4PF50WPBF供应商

IRG4PF50WPBF属性

  • IRG4PF50WPBF
  • INFINEON

IRG4PF50WPBF描述

品属性属性值搜索类似
制造商:Infineon
产品种类:IGBT晶体管
RoHS:详细信息
技术:Si
封装/箱体:TO-247-3
安装风格:ThroughHole
配置:Single
集电极—发射极最大电压VCEO:900V
集电极—射极饱和电压:2.25V
栅极/发射极最大电压:20V
在25C的连续集电极电流:51A
Pd-功率耗散:200W
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+150C
封装:Tube
商标:Infineon/IR
集电极最大连续电流Ic:51A
栅极—射极漏泄电流:100nA
高度:20.7mm
长度:15.87mm
产品类型:IGBTTransistors
工厂包装数量:400
子类别:IGBTs
宽度:5.31mm
单位重量:38g


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联系方式
  • 联系人:陈
  • 地 址:深圳市福田区振兴路113号新欣大厦B座312室
  • 邮 编:51800
  • 电 话:0755-88607455
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